El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
Para la polarización las terminales que se muestran en la figura 4.14 las terminales se indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se desarrollará una apreciación de la elección de esta notación cuando se analice la operación básica del transistor. La abreviatura BJT, de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta. Si sólo se utiliza un portador (electrón o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.
Publicado por: Enmanuel Angel
Bipolar Junction Transistor. BJT as a device, concept of amplification, BJT configurations, biasing BJT, DC analysis of BJT circuits, Typical junction voltages for cutoff, active and saturation regions, Voltage divider bias and its analysis for stability factors, Small signal-low frequency h-parameter model, Variation of h-parameters with operating point, Small signal and DC data sheet specifications for BJT. Power BJT construction
martes, 22 de junio de 2010
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