La figura se representa el modelo de pequeña señal de un FET constituido por dos parámetros: gm, o factor de admitancia, y rd, o resistencia de salida o resistencia de drenador. Esta notación es la más extendida para describir estos parámetros, aunque algunos fabricantes utilizan la notación en parámetros {Y} o {G}, denominando yfs o gfs a gm, e yos−1 o gos−1 o ross a rd.
Estos parámetros dependen de la corriente de polarización del transistor (ID), y el fabricante proporciona las curvas que permiten extraer sus valores en diferentes condiciones de polarización. A continuación se describe con más detalle los paráetros gm y rd.
Publicado por: Enmanuel Angel
Bipolar Junction Transistor. BJT as a device, concept of amplification, BJT configurations, biasing BJT, DC analysis of BJT circuits, Typical junction voltages for cutoff, active and saturation regions, Voltage divider bias and its analysis for stability factors, Small signal-low frequency h-parameter model, Variation of h-parameters with operating point, Small signal and DC data sheet specifications for BJT. Power BJT construction
sábado, 24 de julio de 2010
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una pregunta el Yos a que es igual ? a Yfs elevado a la -1 o se resta -1 porfavor espero tu respuesta
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