osciladores LC. 3ra publicacion. nanyoly mendez. EES seccion 1. 3er parcial

DISEÑO DE UN OSCILADOR DISTRIBUIDO

Usando un transistor MESFET fabricado por NEC (NE34018) con una frecuencia de corte mínima de 8 GHz, y un empaque SOT323 de cuatro pines, sobre un substrato FR4 con una constante dieléctrica igual a 3.2 y una tangente de pérdidas de 0.02. En primera instancia se encuentran las capacitancias de entrada y de salida para cada MESFET, en este caso se utiliza el modelo simplificado de MESFET, y se obtienen las capacitancias de las hojas de especificaciones dadas por el fabricante, las cuales fueron corroboradas con un análisis de pequeña señal encontrando los parámetros Y11 y Y22. Es importante aclarar que este transistor es unilateral prácticamente sobre todo las frecuencias consideradas en este diseño. Con estos valores se selecciona una configuración con cuatro transistores y se encuentran las inductancia para realizar una resonancia a la frecuencia de oscilación, en este caso de 3GHz (Lg = 0;5nH y Ld = 1;5nH), teniendo los valores de los capacitores y de los inductores se encuentran las resistencias de terminación en cada línea de transmisión (drain y gate) .En la Figura 1 se muestra el amplificador distribuido con inductancias y las resistencias de terminación dadas.

En la Figura 2 se muestra la respuesta en frecuencia del análisis no lineal, los transistores fueron polarizados con VDD = 2V y VGG = ¡0;41V , en este caso se utilizaron como radio choques dos bobinas con una alta inductancia para simular un circuito abierto de banda ancha. Como se observa la frecuencia de corte es 7.2GHz y la ganancia es de 12.5dB prácticamente constante desde 0.1GHz hasta 5.2GHz.

Debido a la imposibilidad de lograr físicamente un inductor en frecuencias de microondas como el mostrado en la Figura 2, y se sintetizan los inductores utilizando líneas de transmisión.

Figura 1

Figura 2

Nanyoly Mendez

Electronica del estado solido

Seccion 1