sábado, 24 de julio de 2010

Modelos para señales fuertes

Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operación normal se hallan por:
I_\mathrm{E} = I_\mathrm{ES} \left(e^{\frac{V_\mathrm{BE}}{V_\mathrm{T}}} - 1\right)
I_\mathrm{C} = \alpha_T I_\mathrm{ES} \left(e^{\frac{V_\mathrm{BE}}{V_\mathrm{T}}} - 1\right)
La corriente interna de base es principalmente por difusión y
J_p(Base) = \frac{q D_p p_{bo}}{W} \left[e^{\frac{V_{EB}}{V_T}}\right]
Dónde:
  • IE es la corriente de emisor.
  • IC es la corriente de colector.
  • αT es la ganancia de corriente directa en configuración base común. (de 0.98 a 0.998)
  • IES es la corriente de saturación inversa del diodo base-emisor (en el orden de 10−15 a 10−12 amperios)
  • VT es el voltaje térmico kT / q (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente ≈ 300 K).
  • VBE es la tensión base emisor.
  • W es el ancho de la base.
La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el valor de αT es muy cercano a 1,0. En el transistor de unión bipolar una pequeña variación de la corriente base-emisor genera un gran cambio en la corriente colector-emisor. La relación entre la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada ganancia, β o hFE. Un valor de β de 100 es típico para pequeños transistores bipolares. En una configuración típica, una señal de corriente muy débil circula a través de la unión base-emisor para controlar la corriente entre emisor-colector. β está relacionada con α a través de las siguientes relaciones:
\alpha_T = \frac{I_\mathrm{C}}{I_\mathrm{E}}
\beta_F = \frac{I_\mathrm{C}}{I_\mathrm{B}}
\beta_F = \frac{\alpha_T}{1 - \alpha_T}\iff \alpha_T = \frac{\beta_F}{\beta_F+1}
Eficiencia del emisor: \eta = \frac{J_p(Base)}{J_E}
Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier región del transistor están expresadas más abajo. Estas ecuaciones están basadas en el modelo de transporte de un transistor de unión bipolar.
 i_\mathrm{C} = I_\mathrm{S}\left(e^{\frac{V_\mathrm{BE}}{V_\mathrm{T}}} - e^{\frac{V_\mathrm{BC}}{V_\mathrm{T}}}\right) - \frac{I_\mathrm{S}}{\beta_\mathrm{R}}\left(e^{\frac{V_\mathrm{BC}}{V_\mathrm{T}}} - 1\right)
 i_\mathrm{B} = \frac{I_\mathrm{S}}{\beta_\mathrm{F}}\left(e^{\frac{V_\mathrm{BE}}{V_\mathrm{T}}} - 1\right) + \frac{I_\mathrm{S}}{\beta_\mathrm{R}}\left(e^{\frac{V_\mathrm{BC}}{V_\mathrm{T}}} - 1\right)
 i_\mathrm{E} = I_\mathrm{S}\left(e^{\frac{V_\mathrm{BE}}{V_\mathrm{T}}} - e^{\frac{V_\mathrm{BC}}{V_\mathrm{T}}}\right) + \frac{I_\mathrm{S}}{\beta_\mathrm{F}}\left(e^{\frac{V_\mathrm{BE}}{V_\mathrm{T}}} - 1\right)
Dónde:
  • iC es la corriente de colector.
  • iB es la corriente de base.
  • iE es la corriente de emisor.
  • βF es la ganancia activa en emisor común (de 20 a 500)
  • βR es la ganancia inversa en emisor común (de 0 a 20)
  • IS es la corriente de saturación inversa (en el orden de 10−15 a 10−12 amperios)
  • VT es el voltaje térmico kT / q (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente ≈ 300 K).
  • VBE es la tensión base-emisor.
  • VBC es la tensión base-colector.
Publicado por: Enmanuel Angel

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